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氮化硅廠家總結一些關于氮化硅的信息
來源:http://www.7777lh.cc/news928298.html發布時間:2017/5/19 0:00:00
氮化硅是一種比較常見的一種氮化材料,在市場上的應用空間也比較廣泛,但是依然有一部分人對于氮化硅并不是很了解,為了讓更多的人認識了解氮化硅,促進氮化硅快速發展,將簡單的總結一些關于氮化硅的基本信息。氮化硅用做高級耐火材料,如與sic結合作SI3N4-SIC耐火材料用于高爐爐身等部位;如與BN結合作SI3N4-BN材料,用于水平連鑄分離環。SI3N4-BN系水平連鑄分離環是一種細結構陶瓷材料,結構均勻,具有高的機械強度。耐熱沖擊性好,又不會被鋼液濕潤,符合連珠的工藝要求。
氮化硅的物理物性,相對分子質量140.28?;疑?、白色或灰白色。六方晶系。晶體呈六面體。密度3.44。莫氏硬度9~9.5,維氏硬度約為2200,顯微硬度為32630MPa。熔點1900℃(加壓下)。通常在常壓下1900℃分解。比熱容0.71J/(g·K)。生成熱為-751.57kJ/mol。熱導率為16.7W/(m·K)。線膨脹系數為2.75×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于氫氟酸。在空氣中開始氧化的溫度1300~1400℃。比體積電阻,20℃時為1.4×105·m,500℃時為4×108·m。彈性模量為28420~46060MPa。耐壓強度為490MPa(反應燒結的)。1285攝式度時與二氮化二鈣反應生成二氮硅化鈣,600度時使過渡金屬還原,放出氮氧化物。抗彎強度為147MPa。可由硅粉在氮氣中加熱或鹵化硅與氨反應而制得。
氮化硅還能應用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化硅膜后,不但能作為減反射膜可減小入射光的反射,而且,在氮化硅薄膜的沉積過程中,反應產物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內,起到了鈍化缺陷的作用。這里的氮化硅氮硅原子數目比并不是嚴格的4:3,而是根據工藝條件的不同而在一定范圍內波動,不同的原子比例對應的薄膜的物理性質有所不同。
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